La memoria flash es una tecnología de almacenamiento que permite la lecto-escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación.
Memoria cache externa
Es más antigua que la interna, dado que hasta fecha "relativamente"
reciente estas últimas eran impracticables. Es una memoria de acceso
rápido incluida en la placa base, que dispone de su propio bus y controlador
independiente que intercepta las llamadas a memoria antes que sean enviadas a
la RAM
La caché interna típica es un banco SRAM de entre 128 y 256 KB. Esta memoria es
considerablemente más rápida que la DRAM convencional, aunque también mucho más
cara (tenga en cuenta que un aumento de tamaño sobre los valores
anteriores no incrementa proporcionalmente la eficacia de la memoria caché).
Actualmente (2004) la tendencia es incluir esta caché en el procesador.
Los tamaños típicos oscilan entre 256 KB y 1 MB.
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